铠侠NAND投资趋于谨慎引发半导体超级周期争论
日本NAND闪存厂商铠侠当日重新夺回日本股市市值第一的位置。据日经亚洲报道,铠侠计划未来三年年均投资约4700亿日元,较2022年历史最高投资规模低约10%——在NAND价格飙升、供应短缺持续的背景下,这一投资规模显得格外克制。
分析认为,这源于2022年的惨痛教训。当时铠侠投入约1万亿日元扩建四日市工厂产能,随后行业爆发价格战,导致价格暴跌。此后铠侠管理层转向在扩产与股东回报之间寻求平衡,近期在投资者说明会上表示,鉴于预期现金流稳健,公司将在适度范围内进行投资。
这被解读为NAND市场目前主要靠价格上涨(P)而非产量增长(Q)驱动利润的证据,这种判断可能已在全球芯片厂商间形成共识,对三星电子和SK海力士的投资策略也具有借鉴意义。摩根士丹利提出乐观情景,认为随着晶圆供应短缺加剧,到2028年价格可能升至当前水平的两倍,届时美股上市的闪迪与西部数据未来三年每股收益或有望增长最高10倍。在NAND闪存市场份额方面,三星电子居首,SK海力士次之,铠侠位列第三。
该消息也被视为对半导体行业即将见顶回落这一悲观论调的反驳依据。三星电子与SK海力士仍维持扩产计划,业内担忧若龙头企业同时扩产,可能重演过去因产能过剩导致的价格战。不过长期供应协议(LTA)的普及正在明显缓解这一担忧。美光在最近财报电话会议中提及已签署五年期合约,闪迪自今年初起持续提及LTA,SK海力士据传也已通过长期合约锁定明年大部分产量,为价格和出货量提供了一定缓冲。
不过也有谨慎意见指出,过去二次电池行业曾因担忧严重短缺而签订类似长期合约,后因情况变化而被取消,提醒市场不宜对此次半导体长期合约过度乐观。也有反驳观点认为,电池合约针对的是未来预期需求,而存储芯片合约则基于当前实际使用中的需求,二者性质不同。归根结底,铠侠主动克制、未率先扣动扩产竞赛的扳机,被视为半导体行业已进入真正新阶段、而非单纯周期性繁荣的信号。